Unterschied zwischen IGBT und GTO
IGBT gegen GTO
GTO (Gate Turn-Off Thyristor) und IGBT (isolierter Bipolartransistor) sind zwei Arten von Halbleitergeräten mit drei Terminals. Beide werden verwendet, um Ströme zu kontrollieren und zu Schaltzwecken. Beide Geräte verfügen über ein kontrollierendes Terminal namens "Gate", haben jedoch unterschiedliche Betriebsaufgaben.
GTO (Torverdrehung Thyristor)
GTO besteht aus vier Halbleiterschichten vom Typ P. und n, und die Gerätestruktur unterscheidet sich im Vergleich zu einem normalen Thyristor wenig. In der Analyse wird GTO auch als gekoppeltes Transistorenpaar angesehen (ein PNP und eine andere in der NPN -Konfiguration), genau wie bei normalen Thyristoren. Drei Terminals GTO werden als "Anode", "Kathode" und "Tor" bezeichnet.
In Betrieb leitet Thyristor leitend, wenn dem Tor ein Impuls zur Verfügung gestellt wird. Es verfügt über drei Operationsmodi, die als "Reverse Blocking -Modus", "Vorwärtsblockierungsmodus" und "Vorwärtsableitungsmodus" bekannt sind. Sobald das Tor mit dem Impuls ausgelöst wurde, geht Thyristor in den "Vorwärtsableitungsmodus" und leitet weiter, bis der Vorwärtsstrom weniger als der Schwellenwert "Strom" wird.
Zusätzlich zu den Merkmalen normaler Thyristor. In normalen Thyristoren erfolgt die Funktion "Aus" automatisch.
GTOs sind Leistungsgeräte und werden hauptsächlich für alternierende Stromanwendungen verwendet.
Bipolarer Transistor isolierter Gate (IGBT)
IGBT ist ein Halbleitergerät mit drei Terminals, die als "Emitter", "Sammler" und "Gate" bekannt sind. Es ist eine Art Transistor, der eine höhere Leistung bewältigen kann und eine höhere Schaltgeschwindigkeit aufweist, was es hocheffizient macht. IGBT wurde in den 1980er Jahren auf den Markt gebracht.
IGBT ist die kombinierten Merkmale des MOSFET- und Bipolar Junction Transistor (BJT). Es ist Gate angetrieben wie MOSFET und hat Stromspannungseigenschaften wie BJTs. Daher hat es die Vorteile sowohl der Fähigkeit zur Handhabung mit hohem Strom und einer einfachen Kontrolle. IGBT -Module (bestehen aus einer Reihe von Geräten) behandeln Kilowatt von Strom.
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Was ist der Unterschied zwischen IGBT und GTO? 1. Drei Terminals von IGBT sind als Emitter, Sammler und Gate bekannt, während GTO als Anode, Kathode und Gate Terminals bezeichnet. 2. Gate des GTO benötigt nur einen Impuls zum Schalten, während IGBT eine kontinuierliche Versorgung mit Gate -Spannung benötigt. 3. IGBT ist eine Art Transistor und GTO ist eine Art Thyristor, der als eng gekoppelte Transistorenpaar in der Analyse angesehen werden kann. 4. IGBT hat nur einen PN -Übergang, und GTO hat drei davon 5. Beide Geräte werden in Hochleistungsanwendungen verwendet. 6. GTO benötigt externe Geräte, um die Ausbaus und die Impulse zu steuern, während IGBT es nicht benötigt.
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