Unterschied zwischen Prom und EPROM
Prom vs Eprom
Bei Elektronik und Computing sind Speicherelemente wichtig, um Daten zu speichern und anschließend abzurufen. In frühesten Stadien wurden Magnetbänder als Gedächtnis verwendet und mit den Halbleiterrevolution Memory -Elementen basierend auf Halbleitern entwickelt. EPROM und EEPROM sind nichtflüchtige Halbleitergedächtnisarten Typen.
Wenn ein Speicherelement nach der Trennung von der Leistung keine Daten aufbewahren kann, ist es als flüchtiges Speicherelement bekannt. Proms und EPROMs waren wegweisende Technologien in nichtflüchtigen Gedächtniszellen (i.e. Sie sind in der Lage, Daten zu behalten, nachdem sie von der Macht getrennt werden können), die zur Entwicklung moderner Festkörpergedächtnisgeräte führten.
Was ist Prom?
Prom steht für Programmierbar nur Speicher lesen, Eine Art von nicht flüchtiger Speicher, das 1959 von Weng Tsing Chow auf Anfrage der US-Luftwaffe als Alternative für den Speicher von Atlas E- und F ICBM-Modellen an Bord (Airborne) digitaler Computer erstellt wurde. Sie sind auch als einmalige programmierbare nichtflüchtige Speicher bekannt (OTP NVM) und Feld programmierbar, lesen Sie nur Speicher (Fprom). Derzeit werden diese in Mikrocontrollern, Mobiltelefonen, Funkfrequenzidentifikationskarten (RFIDs), High Definition Media Interfaces (HDMI) und Videospielcontrollern häufig verwendet.
Daten, die über einen Abschlussball geschrieben wurden, sind dauerhaft und können nicht geändert werden. Daher werden sie üblicherweise als statischer Speicher wie Firmware von Geräten verwendet. Frühe Computer -BIOS -Chips waren auch Prom -Chips. Vor dem Programmieren hat der Chip nur Stücke mit einem Wert 1 „1“. Im Programmierungsprozess werden nur erforderliche Bits in Null "0" umgewandelt, indem jede Sicherungsbits geblasen wird. Sobald der Chip programmiert ist, ist der Prozess irreversibel; Daher sind diese Werte unveränderlich und dauerhaft.
Basierend auf der Fertigungstechnologie können Daten auf Wafer-, Endtest- oder Systemintegrationsebene programmiert werden. Diese werden mit einem PROM -Programmierer programmiert, der die Sicherungen jedes Bits durch Anwenden einer relativ großen Spannung zum Programmieren des Chips (normalerweise 6 V für 2nm dicke Schicht) bläst (normalerweise 6 V). Promzellen unterscheiden sich von ROMs; Sie können auch nach der Herstellung programmiert werden, während ROMs nur bei der Herstellung programmiert werden können.
Was ist EPROM?
Eprom steht für Löschbarer programmierbarer schreibgeschützter Speicher, auch eine Kategorie nichtflüchtiger Speichergeräte, die programmiert und ebenfalls gelöscht werden können. EPROM wurde 1971 von Dov Frohman bei Intel entwickelt, basierend auf der Untersuchung fehlerhafter integrierter Schaltungen, in denen Gate -Verbindungen der Transistoren gebrochen waren.
Eine EPROM -Speicherzelle ist eine große Sammlung von Transistoren für schwimmende Gate -Feldeffekte. Daten (jedes Bit) werden mit einem Programmierer auf einzelne Feldeffekttransistoren im Chip geschrieben, wodurch Quellenabflusskontakte im Inneren erstellt werden. Basierend auf der Zelladresse ein bestimmtes FET speichert Daten und Spannungen, die in diesem Betrieb viel höher sind als die normalen digitalen Schaltungsspannungen werden verwendet. Wenn die Spannung entfernt wird, sind die Elektronen in den Elektroden eingeschlossen. Aufgrund seiner sehr geringen Leitfähigkeit des Siliziumdioxids (SiO2) Die Isolationsschicht zwischen den Toren bewahrt die Ladung für lange Zeiträume und behält daher das Gedächtnis für zehn bis zwanzig Jahre bei.
Ein EPROM -Chip wird durch Exposition gegenüber einer starken UV -Quelle wie einer Quecksilberdampflampe gelöscht. Das Löschen kann mit einem UV -Licht mit einer Wellenlänge von weniger als 300 nm durchgeführt werden und 20-30 Minuten im nächsten Bereich freigelegt werden (im Nahbereich (im Nahbereich) (ausgesetzt)<3cm). For this, EPROM package is built with a fused quartz window that exposes the silicon chip to the light. Therefore, an EPROM is easily identifiable from this characteristic fused quartz window. Erasure can be done using X-rays too.
EPROMs werden im Grunde genommen als statische Speicherspeicher in großen Schaltungen verwendet. Sie wurden häufig als BIOS -Chips in Computermotherboards verwendet, werden jedoch von neuen Technologien wie EEPROM ersetzt, die billiger, kleiner und schneller sind.
Was ist der Unterschied zwischen Prom und EPROM?
• PROM ist die ältere Technologie, während sowohl Prom als auch EPROM nichtflüchtige Speichergeräte sind.
• PROMs können nur einmal programmiert werden, während EPROMs wiederverwendbar sind und mehrmals programmiert werden können.
• Der Prozess bei der Programmierung von Proms ist irreversibel; Daher ist das Gedächtnis dauerhaft. Im EPROM -Speicher kann durch Exposition gegenüber UV -Licht gelöscht werden.
• EPROMs haben ein fusioniertes Quarzfenster in der Verpackung, damit dies dies zulässt. Proms sind in komplette Plastikverpackungen eingeschlossen. Daher hat UV keinen Einfluss auf Proms
• In PROMS werden Daten auf den Chip geschrieben/ programmiert, indem die Sicherungen bei jedem Bit unter Verwendung viel höherer Spannungen als die durchschnittlichen Spannungen, die in digitalen Schaltungen verwendet werden. EPROMs verwenden auch Hochspannung, aber nicht genug, um die Halbleiterschicht dauerhaft zu verändern.
